IRF2807Z

Symbol Micros: TIRF2807z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9,4 mOhm; 89A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807ZLPBF; IRF2807ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,4mOhm
Max. Drainstrom: 89A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2807Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9639 1,5679 1,3409 1,2043 1,1556
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Standard-Verpackung:
50/700
Widerstand im offenen Kanal: 9,4mOhm
Max. Drainstrom: 89A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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