IRF2807Z

Symbol Micros: TIRF2807z

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9,4 mOhm; 89A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807ZLPBF; IRF2807ZPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,4mOhm
Max. Drainstrom:	89A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2807Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9185	1,5721	1,3694	1,2468	1,1997

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-05-15

Anzahl Stück: 40

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-05-08

Anzahl Stück: 200

Widerstand im offenen Kanal:	9,4mOhm
Max. Drainstrom:	89A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT