IRF3205PBF

Name: TIRF3205 TIRF3205
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF3205
Price: 0.5118 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3205

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

310 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	300+	600+
Nettopreis (EUR)	1,0752	0,7160	0,5540	0,5188	0,5118

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

311 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6552

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

24364 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5118

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3480 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5118

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8592	0,5399	0,4226	0,3991	0,3733

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6972	0,4413	0,3474	0,3169	0,3028

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7512	0,4766	0,3756	0,3427	0,3263