IRF3205PBF

Name: TIRF3205 TIRF3205
Brand: Infineon
SKU: TIRF3205
Price: 0.4572 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3205

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8603	0,6312	0,5050	0,4348	0,4091

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

499 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5433

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4730 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4572

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8556	0,5377	0,4208	0,3974	0,3717

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7481	0,4746	0,3740	0,3413	0,3249

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6405	0,4044	0,3203	0,2922	0,2782