IRF3205-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRF3205 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3205PBF; SP001559536;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRF3205-CN RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6504 0,4106 0,3252 0,2967 0,2825
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT