IRF3205 JSMICRO

Symbol Micros: TIRF3205 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3205PBF; SP001559536;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7021 0,4444 0,3499 0,3191 0,3050
Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT