IRF3205 JSMICRO

Symbol Micros: TIRF3205 JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3205PBF; SP001559536;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,5mOhm
Max. Drainstrom:	85A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6624	0,4154	0,3254	0,3070	0,2885

Widerstand im offenen Kanal:	8,5mOhm
Max. Drainstrom:	85A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7386	0,4685	0,3693	0,3370	0,3208