IRF3205S
Symbol Micros:
TIRF3205s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205SPBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; IRF3205SPBF-GURT;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 110A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF3205STRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
190 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2709 | 0,8908 | 0,7555 | 0,6926 | 0,6693 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 110A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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