IRF3205S JSMICRO

Symbol Micros: TIRF3205s JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; SP001576776; SP001576758; SP001564448;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF3205S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8858 0,5890 0,4877 0,4405 0,4217
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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