IRF3205ZPBF

Name: TIRF3205z TIRF3205z
Brand: Infineon
SKU: TIRF3205z
Price: 0.6824 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3205z

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 6,5 mOhm; 110A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

130 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2962	0,9893	0,8193	0,7178	0,6824

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

830 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6824

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205ZPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1227 stk.

Anzahl Stück	350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6824

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT