IRF3315PBF

Symbol Micros: TIRF3315
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 70mOhm; 27A; 136W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3315PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3315 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1176 0,8541 0,7059 0,6188 0,5882
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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