IRF3415

Symbol Micros: TIRF3415
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3415PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3415 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4155 1,0814 0,8946 0,7848 0,7451
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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