IRF3415

Symbol Micros: TIRF3415
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3415PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3415 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4293 1,0920 0,9033 0,7925 0,7524
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3415PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7940
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3415PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1850 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7524
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3415PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
23743 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7524
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT