IRF3703

Symbol Micros: TIRF3703
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,9 mOhm; 210A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3703PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3703 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,1510 1,7618 1,5354 1,3963 1,3444
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3703PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3444
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT