IRF3708

Symbol Micros: TIRF3708
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 29mOhm; 62A; 87W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3708PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 87W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3708 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1386 0,7958 0,6644 0,6198 0,5986
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 87W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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