IRF3710
Symbol Micros:
TIRF3710 c
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
Max. Drainstrom: | 57A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-08
Anzahl Stück: 100
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-08
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
Max. Drainstrom: | 57A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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