IRF3710

Symbol Micros: TIRF3710 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-08
Anzahl Stück: 100
         
 
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2025-08-08
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT