IRF3710Z

Symbol Micros: TIRF3710z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710ZPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2234 0,8562 0,6854 0,6644 0,6433
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,2234 0,8538 0,7018 0,6527 0,6433
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2234 0,8562 0,7275 0,6644 0,6433
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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