IRF3710Z

Symbol Micros: TIRF3710z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1024 0,8090 0,6486 0,5569 0,5248
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1190 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7348
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4399 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6361
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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