IRF3711S

Symbol Micros: TIRF3711s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8,5 mOhm; 110A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3711STRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4808 1,1288 0,9340 0,8190 0,7791
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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