IRF3805

Symbol Micros: TIRF3805

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 3,3 mOhm; 220A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3805PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,3mOhm
Max. Drainstrom:	220A
Maximaler Leistungsverlust:	330W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3805 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	20+	50+
Nettopreis (EUR)	2,4689	2,1092	1,8966	1,8265	1,7635

Widerstand im offenen Kanal:	3,3mOhm
Max. Drainstrom:	220A
Maximaler Leistungsverlust:	330W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT