IRF3805SPBF

Symbol Micros: TIRF3805s

Gehäuse: D2PAK

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	270mA
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF3805S RoHS Gehäuse: D2PAK Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,8472	1,5401	1,3636	1,2788	1,2307

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF3805S RoHS Gehäuse: D2PAK Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,8472	1,5401	1,3636	1,2788	1,2307

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	270mA
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD