IRF3805SPBF

Symbol Micros: TIRF3805s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 270mA
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF3805S RoHS Gehäuse: D2PAK Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8981 1,5825 1,4012 1,3141 1,2646
Standard-Verpackung:
40
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF3805S RoHS Gehäuse: D2PAK Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8981 1,5825 1,4012 1,3141 1,2646
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF3805S RoHS Gehäuse: D2PAK Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8981 1,5825 1,4012 1,3141 1,2646
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 270mA
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD