IRF3805S-7PPBF International Recifier

Symbol Micros: TIRF3805s7p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 2,6 mOhm; 240A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3805STRL-7PPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 240A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,6mOhm
Max. Drainstrom: 240A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD