IRF4104S

Symbol Micros: TIRF4104s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 120A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF4104SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF4104S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2128 0,8492 0,7225 0,6592 0,6381
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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