IRF4905

Symbol Micros: TIRF4905
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
247 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2066 0,9220 0,7627 0,6693 0,6352
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF 4905 PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
820 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8649
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
9675 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9307
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF4905PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
100955 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6352
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-02-28
Anzahl Stück: 8000
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 74A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistortyp: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: -55V
Drainstrom: -74A
Leistung: 200W
Gehäuse: TO220AB
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 20mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Gehäuse: 750mK/W
Montage: THT
Gate-Ladung: 120nC

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