IRF4905

Symbol Micros: TIRF4905 c

Gehäuse: TO220

Transistor P-Kanal MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF; EV-IRF4905-T3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	74A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	74A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT