IRF4905LPBF
Symbol Micros:
TIRF4905L
Gehäuse: TO262
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF4905L RoHS
Gehäuse: TO262
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7776 | 2,1325 | 1,8134 | 1,7735 | 1,7360 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF4905LPBF
Gehäuse: TO262
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7360 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF4905LPBF
Gehäuse: TO262
Externes Lager:
993 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7360 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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