IRF4905LPBF

Symbol Micros: TIRF4905L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF4905L RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,7655 2,1232 1,8055 1,7658 1,7284
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT