IRF510PBF

Name: TIRF510 TIRF510
Brand: -
SKU: TIRF510
Price: 0.3472 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF510

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510PBF; IRF510;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

102 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7976	0,5067	0,3988	0,3636	0,3472

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7976	0,5067	0,3988	0,3636	0,3472

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3472

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2625 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3472

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1768 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3472

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT