IRF510PBF

Symbol Micros: TIRF510
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510PBF; IRF510;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 350+
Nettopreis (EUR) 0,7735 0,4846 0,3799 0,3572 0,3367
Standard-Verpackung:
50/350
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 350+
Nettopreis (EUR) 0,7735 0,4846 0,3799 0,3572 0,3367
Standard-Verpackung:
50/500
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-11-06
Anzahl Stück: 250
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT