IRF510PBF
Symbol Micros:
TIRF510
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510PBF; IRF510;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7942 | 0,5045 | 0,3971 | 0,3620 | 0,3457 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF510 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
152 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7942 | 0,5045 | 0,3971 | 0,3620 | 0,3457 |
Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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