IRF510PBF

Symbol Micros: TIRF510
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510PBF; IRF510;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7982 0,5071 0,3991 0,3639 0,3474
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
102 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7982 0,5071 0,3991 0,3639 0,3474
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Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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