IRF510S

Symbol Micros: TIRF510s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF510STRLPBF; IRF510SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF510S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6937 0,4344 0,3410 0,3223 0,3013
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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