IRF520N

Symbol Micros: TIRF520n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 9,7A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF520NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

130 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0353	0,7606	0,6104	0,5235	0,4930

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7771	0,4930	0,3897	0,3545	0,3381