IRF5210 TO220

Symbol Micros: TIRF5210 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
110V 35A 26m?@10V,15A 180W 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS IRF5210PBF-JSM; IRF5210PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT