TIRF530 nl

Symbol Micros: TIRF530 nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 175°C
Montage: THT