TIRF530 nl
Symbol Micros:
TIRF530 nl
Gehäuse: TO262
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
Gehäuse: | TO262 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
Gehäuse: | TO262 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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