IRF530NS

Symbol Micros: TIRF530 ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF530NS RoHS Gehäuse: TO263t/r Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2536 0,9555 0,7911 0,6949 0,6597
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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