IRF530NS

Name: TIRF530 ns TIRF530 ns
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF530ns
Price: 0.6643 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530 ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF530NS RoHS Gehäuse: TO263t/r Datenblatt

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2624	0,9622	0,7967	0,6997	0,6643

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1390 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6643

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

37600 stk.

Anzahl Stück	1600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6643

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6643

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6477	0,4066	0,3381	0,3002	0,2813