IRF530S

Symbol Micros: TIRF530 s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530SPBF; IRF530STRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF530S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8479 0,5372 0,4251 0,3854 0,3690
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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