IRF530S

Symbol Micros: TIRF530 s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160 mOhm; 14A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530SPBF; IRF530STRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF530S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8390 0,5316 0,4207 0,3814 0,3652
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF530SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3652
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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