G45P40T
Symbol Micros:
TIRF5305 GO
Gehäuse: TO220
MOSFET-Transistor; TO-220; P-Channel; NO ESD; -40V; -45A; 80W; ; -1,5 V; 28mOhm IRF5305;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 45A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 45A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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