IRF5305STRLPBF
Symbol Micros:
TIRF5305s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5305SPBF; IRF5305STRLPBF; IRF5305STRRPBF; IRF5305SPBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5305STRL RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
80 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0833 | 0,7183 | 0,5746 | 0,5228 | 0,5157 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5305STRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0833 | 0,7183 | 0,5746 | 0,5228 | 0,5157 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5305STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
10400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5157 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF5305STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2810 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5157 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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