IRF540
Symbol Micros:
TIRF540
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP30NF10 IRF540PBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
| Max. Drainstrom: | 28A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF540 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1368 | 0,8343 | 0,6688 | 0,5743 | 0,5412 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF540PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1368 | 0,8343 | 0,6688 | 0,5743 | 0,5412 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF540PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2200 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5626 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
| Max. Drainstrom: | 28A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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