IRF540

Symbol Micros: TIRF540 c

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP30NF10 IRF540PBF

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	77mOhm
Max. Drainstrom:	28A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	77mOhm
Max. Drainstrom:	28A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT