IRFI540NPBF

Symbol Micros: TIRF540 iso

Gehäuse: TO220iso

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540NPBF; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	52mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI540NPBF RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

92 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,4052	1,0721	0,8868	0,7765	0,7390

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFI540NPBF Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

650 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7390

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFI540NPBF Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

10305 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7390

Widerstand im offenen Kanal:	52mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	54W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT