IRFI540NPBF
Symbol Micros:
TIRF540 iso
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540NPBF; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 52mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 54W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 52mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 54W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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