IRF540N

Symbol Micros: TIRF540n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NPBF; IRF 540N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
2029 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7858 0,4964 0,3929 0,3576 0,3411
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF 540 N PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5106
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
24257 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3411
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
18010 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4372
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-30
Anzahl Stück: 2300
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT