IRF540NS TO-263

Symbol Micros: TIRF540ns c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263
Hersteller: ARK
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ARK Hersteller-Teilenummer: IRF540NS RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5575 0,3090 0,2439 0,2300 0,2228
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263
Hersteller: ARK
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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