IRF540S

Symbol Micros: TIRF540s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF540S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
240 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,2165 0,8094 0,6235 0,6024 0,5788
Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD