IRF540S

Symbol Micros: TIRF540s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	77mOhm
Max. Drainstrom:	28A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF540S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

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240 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,2097	0,8049	0,6201	0,5990	0,5756

Widerstand im offenen Kanal:	77mOhm
Max. Drainstrom:	28A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD