IRF540S
Symbol Micros:
TIRF540s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
| Max. Drainstrom: | 28A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF540S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
240 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2143 | 0,8080 | 0,6224 | 0,6013 | 0,5778 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
| Max. Drainstrom: | 28A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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