IRF540S

Symbol Micros: TIRF540s
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF540SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1350 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4449
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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