IRF540S
Symbol Micros:
TIRF540s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
Max. Drainstrom: | 28A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF540S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
240 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,2165 | 0,8094 | 0,6235 | 0,6024 | 0,5788 |
Widerstand im offenen Kanal: | 77mOhm |
Max. Drainstrom: | 28A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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