IRF540Z

Symbol Micros: TIRF540z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26,5 mOhm; 36A; 92W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 26,5mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 92W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
33 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9947 0,7293 0,5839 0,5008 0,4731
Standard-Verpackung:
50/900
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4731
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
23383 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4742
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
380 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6109
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 26,5mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 92W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT