IRF540Z
Symbol Micros:
TIRF540z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26,5 mOhm; 36A; 92W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540ZPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 26,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 36A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 92W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF540Z RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
33 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0053 | 0,7370 | 0,5901 | 0,5061 | 0,4781 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1400 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4781 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
35243 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4781 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
470 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5695 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 26,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 36A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 92W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole