IRF540Z

Symbol Micros: TIRF540z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26,5 mOhm; 36A; 92W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 26,5mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 92W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
33 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0189 0,7470 0,5981 0,5130 0,4846
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Standard-Verpackung:
50/900
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
470 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5273
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540ZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4846
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 26,5mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 92W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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