IRF5801

Symbol Micros: TIRF5801
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Gehäuse: TSOT23-6
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 2,2 Ohm; 600mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF5801TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5801TR RoHS Gehäuse: TSOT23-6 t/r  
Auf Lager:
98 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3967 0,2186 0,1718 0,1592 0,1526
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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