IRF60DM206 INFINEON

Symbol Micros: TIRF60dm206

Gehäuse:

Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,9mOhm
Max. Drainstrom:	130A
Maximaler Leistungsverlust:	96W
Gehäuse:	DirectFET(ME)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	2,9mOhm
Max. Drainstrom:	130A
Maximaler Leistungsverlust:	96W
Gehäuse:	DirectFET(ME)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD