IRF610

Name: TIRF610 TIRF610
Brand: Vishay
SKU: TIRF610
Price: 0.2233 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF610

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610PBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	350+	1050+
Nettopreis (EUR)	0,5578	0,3375	0,2601	0,2297	0,2233

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

14600 stk.

Anzahl Stück	50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,2233

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,2409

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT