IRF610

Symbol Micros: TIRF610
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
584 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6255 0,3947 0,3093 0,2816 0,2723
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3725 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5611
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT