IRF610

Symbol Micros: TIRF610
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,5699 0,3574 0,2803 0,2546 0,2476
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Standard-Verpackung:
50/450
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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