IRF610

Name: TIRF610 TIRF610
Brand: Vishay
SKU: TIRF610
Price: 0.3371 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF610

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

134 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	450+
Nettopreis (EUR)	0,5703	0,3576	0,2805	0,2548	0,2478

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

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3100 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3371

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10200 stk.

Anzahl Stück	1700+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2478

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Geplantes Datum:
2026-12-20

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT