IRF610S
Symbol Micros:
TIRF610s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610STRLPBF; IRF610STRRPBF; IRF610SPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF610S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0885 | 0,7241 | 0,5582 | 0,5396 | 0,5185 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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