IRF610S

Symbol Micros: TIRF610s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 3,3A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF610STRLPBF; IRF610STRRPBF; IRF610SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF610S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0932 0,7272 0,5607 0,5419 0,5208
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5208
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF610SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
6500 stk.
Anzahl Stück 1100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5208
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD