TIRF614 iso
Symbol Micros:
TIRF614 iso
Gehäuse: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 2Ohm; 2,1A; 23W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 23W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 23W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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