IRF620PBF
Symbol Micros:
TIRF620
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 5,2A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF620PBF; IRF620;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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