IRF620PBF

Symbol Micros: TIRF620
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 5,2A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF620PBF; IRF620;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF620 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8054 0,5096 0,4027 0,3640 0,3504
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Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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