IRF620S

Symbol Micros: TIRF620s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 5,2A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF620STRRPBF IRF620STRLPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF620S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7277 0,4610 0,3627 0,3299 0,3159
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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