IRF6218S

Symbol Micros: TIRF6218s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 150 mOhm; 27A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF6218SPBF, IRF6218STRLPBF

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD