IRF630

Symbol Micros: TIRF630
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 400 mOhm; 9A; 74W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF630 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
155 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 50+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8596 0,5699 0,5115 0,4391 0,4088
Standard-Verpackung:
50/450
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT