IRF630

Name: TIRF630 TIRF630
Brand: Vishay
SKU: TIRF630
Price: 0.4046 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF630

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 400 mOhm; 9A; 74W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Max. Drainstrom:	9A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF630 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

155 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	10+	50+	450+
Nettopreis (EUR)	0,8507	0,5641	0,5063	0,4346	0,4046

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3250 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4046

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

980 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4046

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

49863 stk.

Anzahl Stück	600+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4046

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF630NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

66050 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4046

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Max. Drainstrom:	9A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5803	0,3629	0,2843	0,2682	0,2520

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5964	0,3768	0,2982	0,2705	0,2589