IRF630S

Symbol Micros: TIRF630s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 400 mOhm; 9A; 74W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF630S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8689 0,6377 0,5115 0,4391 0,4134
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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