IRF630S
Symbol Micros:
TIRF630s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 400 mOhm; 9A; 74W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF630S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8727 | 0,6404 | 0,5138 | 0,4410 | 0,4152 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF630SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
750 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4652 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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