IRF634

Symbol Micros: TIRF634
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 450 mOhm; 8.1A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF634PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 8,1A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8712 0,5512 0,4344 0,3971 0,3784
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9016 0,5723 0,4508 0,4111 0,3924
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 8,1A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT