IRF634

Symbol Micros: TIRF634
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 450 mOhm; 8.1A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF634PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 8,1A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9055 0,5748 0,4528 0,4129 0,3941
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8750 0,5536 0,4363 0,3988 0,3800
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF634PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
225 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4808
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 8,1A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT