IRF634

Symbol Micros: TIRF634

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 450 mOhm; 8.1A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF634PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	8,1A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8311	0,5265	0,4155	0,3778	0,3612

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8807	0,5572	0,4391	0,4014	0,3825

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF634PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

225 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5234

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	8,1A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT