IRF634
Symbol Micros:
TIRF634
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 450 mOhm; 8.1A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF634PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
Max. Drainstrom: | 8,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8712 | 0,5512 | 0,4344 | 0,3971 | 0,3784 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF634 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9016 | 0,5723 | 0,4508 | 0,4111 | 0,3924 |
Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
Max. Drainstrom: | 8,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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