IRF640S
Symbol Micros:
TIRF640s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 18A; 130 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640STRLPBF; IRF640SPBF;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF640S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2406 | 0,9480 | 0,7841 | 0,6882 | 0,6531 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF640STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6531 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF640SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
392 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6531 |
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole