IRF640S
Symbol Micros:
TIRF640s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 18A; 130 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640STRLPBF; IRF640SPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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