IRF640S

Symbol Micros: TIRF640s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 18A; 130 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF640STRLPBF; IRF640SPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF640S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2406 0,9480 0,7841 0,6882 0,6531
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,6531
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF640SPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
392 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,6531
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD