IRF644

Symbol Micros: TIRF644
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 14A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF644PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF644PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2370 stk.
Anzahl Stück 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5156
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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